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5G宏基站超大功率超高频异结构GaN功放塑封封装技术研发和产业化技术需求

发布日期:2022年02月14日

工作地点:


需求方

银杏视频app下载免费版股份有限公司


需求背景


伴随着集成电路需求不断扩大,加之美国限制中兴、晋华、华为事件折射出中国集成电路领域水平与之的巨大差距,使得集成电路国产化的呼声越来越高,而国家近年出台了一银杏视频app怎么下载的政策和成立国家产业大基金扶持发展。预计“十四五”规划,计划在2021-2025年期间,举全国之力,在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面, 大力支持发展以碳化硅、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体产业。

随着5G标准化研究的不断推动,5G基站除了传统的通信业务,还将支持大数据、高速率、低延迟的网络数据服务。随着5G基站的建立和高频化、毫米波的快速发展,对超高功率密度以及对可靠性要求越来越严,而大功率GaN功放器件通常采用金属陶瓷封装,但由于其超大体积和超高成本难以满足5G商用化的需求。所以研究5G宏基站超大功率超高频异结构GaN功放塑封封装技术及产业化,达到优异的性能同时降低制造成本,推进5G基站GaN功率器件的大批量应用,减少贸易摩擦,提高5G国内自主性具有重要战略意义。



需解决的主要技术难题



1.本项目采用塑封工艺技术路线,突破异结构塑封封装射频性能设计创新,将通过塑封实体封装,替代传统金属陶瓷空腔封装。

2.采取异结构塑封封装的低热阻封装结构设计技术的研究方法,进行的5G宏基站超大功率GaN射频功放,饱和功率输出达到200W,器件核心沟道温度达到200℃以上,常规塑封料Tj温度只能达到130℃左右。

3. 5G宏基站超大功率GaN射频功电路其工作状态下,其颞部温度可达160~230℃,工作状态下功耗为80W,损失功耗甚至可达500。在器件发热功耗需要达到70W以上,但同时要实现低热阻,保证器件在正常工作条件下,器件核心沟道温度维持在正常水平。

4.受芯片以及封装结构影响塑封器件的内部将会表现得较为显著,为了解决背部应力,将选用低应力高Tg的塑封树脂;以及在散热片正面做凹槽,从而减少塑封应力。

5.高精度装片技术,使芯片的位置精度在±20?m以下,

6.平行弧度且弧长可控的工艺,实现旋转角度小于1°,Die tile 15um,芯片间距可小于2 00um,键合线线长度差 50um,线宽线距精度可达±4um。


项目主要技术指标


1.线宽线距在5μm 到35μm 之间,硅片间距小于200μm;

2.封装布线的层数达到4 层以上;

3.在-65°C to 150°C 温度循环条件下,循环次数高于1000 次(试验条件:-65+0-10~150+10-0℃15min);

4.异构互联在85℃、104A/cm2 条件下,抗电迁移能力大于500h;

5.信号处理(处理器和储存器)的带宽大于15GBps;

6.射频模块(包括PA,射频开关,低噪声放大器)以及无源器件等实现异构集成及产业化;

7.成本优势比传统封装提升30% 以上

8.封装散热能达到150W/m?k。



揭榜要求


揭榜对象需为公司副总经理、研发总监、技术总监或以上级别,具有本科以上学历,具有较强的研发创新能力,具有第三代半导体封装测试产品的研发和产业化经验,授权专利超过20件,承担或参与过市级以上技术攻关项目5次以上,在核心期刊上发表过1篇以上论文。能对项目需求提出攻克关键核心技术的可行方案,从事封装测试领域研发、管理工作15年以上,具有良好的科研道德和社会诚信,近三年内无不良信用记录和重大违法行为。揭榜对象确定揭榜后,双方共同制定本项目可行性方案,并按有关规定签订技术合同。


揭榜时间


截止2022年2月16日



联系方式


联系人:蔡小姐

联系电话:0755-89386110

邮箱:cailp@odontoperu.com